DRAM

Iz MaFiRaWiki

DRAM (Dynamic Random Accesss Memory - dinamični pomnilnik z naključnim dostopom)

Dinamična RAM celica je sestavljena iz enega tranzistorja in kondenzatorja. Električno stanje celice se stalno spreminja (zato ime dinamični), ker naboj postopoma odteka s kondenzatorja. To pomeni, da je potrebno osveževanje DRAM pomnilnika, da se naboj, ki predstavlja en bit informacije ne izgubi. Osveževanje se izvaja tipično vsakih 8ms.
Osnovne lastnosti DRAM pomnilnikov so torej:

  • DRAM pomnilna celica omogoča večjo koncentracijo funkcij in večjo kapaciteto na enoto volumna, ki je približno 4-krat večja kot pri statičnih pomnilnikih (zgrajeni so iz šestih tranzistorjev), in s tem nižjo ceno na bit.
  • Shranjujejo vpisano informacijo v obliki električnega naboja kondenzatorja, podobno kot pri EPROM-ih, le, da je dielektrik pri dinamični celici zelo slab in naboj hitro zgineva, kar zahteva sprotno osveževanje in s tem dodatna mikrovezja.
  • Povprečno manj obremenjujejo napajalni vir, zato je njihova energijska poraba manjša kot pri statičnih pomnilnih celicah.
  • Dostopni časi, ki so od več deset do sto nanosekund, so precej daljši kot pri SRAM pomnilnikh, kar zahteva dodatne rešitve v sistemih, kjer zahtevamo hitre dostope (uvajanje predpomnilnikov).


Današnji DRAM pomnilniki so sinhronizirani z uro procesorja in jih označujemo z SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory). Najprej so se uporabljali SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), ki so delovali pri hitrostih 100 MHz, 133MHz (oznake PC 100, PC 133), nekateri tudi do 200 MHz. Potem so jih nadomestili DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM, imenovan tudi DDR1). Razlika med DDR1-om in predhodnikom SDRAM je v tem, da DDR1 prenaša podatke tako ob vzponu kot ob padcu urinega impulza, s čimer dosega dvakrat večje hitrosti pri prenosu podatkov kot enako hitri SDRAM. Npr. DDR SDRAM, ki dela pri frekvenci 100 MHz se imenuje DDR 200, 64 bitni (8 bajtov) DIMM modul pa je označen kot PC 1600 (ker lahko prenaša 200×8=1600 MB/s). Znižala se je tudi napajalna napetost in sicer s 3,3 V na 2,5 V, s tem pa se je zmanjšala tudi poraba vezja. Od leta 2004 pa je največ v uporabi DDR2. Hitrost prenašanja podatkov je še dvakrat večja kot pri DDR1, napajalna napetost se je znižala na 1,9 V (največja priporočena napetost), modul pa mora zdržati napetost 2,3 V. Na trg pa že prihaja DDR3 (hitrost prenašanja podatkov je še dvakrat večja kot pri DDR2, napajalna napetost se je znižala na 1,5 V), do leta 2012 pa naj bi bil na trgu tudi DDR4.

Slika:DRAM.jpg

Osebna orodja